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上锁的房间

“钼”成300层+NAND必选项机构：沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站

兵临城下

一 | 　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。 8月5日，杭州政府发布《关于杭州市城市轨道交通9号线二期工程7座车站站名的批复》。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。批复的各站站名如下：1.康信路站。位于荷禹路与康信路交叉口，沿荷禹路南北向布置。2.兴元路站。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。位于荷禹路与兴元路交叉口，沿荷禹路南北向布置。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。3.康泰路站。位于康泰路与顺达路（规划名）交叉口，沿康泰路东西向布置。

二 | 4.泉漳站。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。

三 | 　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。位于康泰路与星河路交叉口，沿康泰路东西向布置，位于泉漳村范围内。5.兴盛路站。位于康泰路与兴盛路交叉口，沿康泰路东西向布置。6.港北路站。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。位于港北路与运城街交叉口，沿港北路南北向布置。7.塘栖站。

四 | 　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。位于绿荫街与塘栖路交叉口，沿绿荫街东西向布置，位于塘栖镇范围内。地铁9号线二期工程线路南接已运营9号线龙安站，向北延伸至塘栖站，线路全长约10公里，全部为地下线。全线设置7座地下车站，同步配套建设昌达路车辆段。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。线路走向沿荷禹路、康泰路、港北路、绿荫街敷设。待9号线二期开通后，杭州地铁9号线全线总里程将达到39.6公里，线路串联起观音塘、钱江新城、临平老城、东湖新城、塘栖古镇，形成一条贯通杭州主城至临平北部的轨道交通纵向通道。

五 | 据了解，9号线二期是杭州地铁四期工程中进度较快的线路。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。今年1月，项目实现全线洞通，成为四期首条完成隧道全线贯通的线路，7个盾构区间全部完成掘进，地下隧道骨架成形。截至目前，车站主体结构施工已全部完成，其中兴盛路站更是杭州地铁四期首个完成主体验收的车站。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。6月，工程顺利实现正线短轨通，钢轨铺设全部到位，建设重心从地下土建转向轨道焊接、线路精调、机电设备安装、车站内部装修以及风亭、出入口等附属结构施工，各工作面同步加紧推进。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。预计今年年底具备通车条件。这条线路的落地，将补齐临平北部轨道交通短板。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。　　该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。

六 | 一方面覆盖东湖新城北部大片居住区，方便荷禹路沿线居民快速往返钱江新城、主城区，大幅缩短通勤时间；另一方面地铁首次直达塘栖古镇核心区，既便利当地居民日常出行，也为主城去往塘栖的文旅客流提供便捷的公共交通选择，激活塘栖文旅消费潜力，推动临平北部板块融合发展，助力塘栖更好融入杭州都市圈。未来，市民乘坐9号线，可便捷换乘其他地铁线路通达火车东站、萧山国际机场等重要交通枢纽，临平北部居民出行将迎来质的提升。（文章来源：科创板日报）。